H01L 21 - Info Page

H01L 21/00 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Примечание :

Рубрики H01L 21/70-H01L 21/98 имеют преимущество перед рубриками H01L 21/02-H01L 21/68 [2].

изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40) [2]

образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам H01L 21/18 или H01L 21/34[5]

с неорганическими слоями [5]

приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2]

приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала [2]

подготовка пластины основания [2]

предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2]

придание селену или теллуру электропроводности [2]

обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности [2]

получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров [2]

наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания [2]

обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера [2]

старение [2]

приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2]

приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками (способы или устройства для приборов, подложки которых содержат неопределенные элементы, явно не относящиеся к приборам, содержащим элементы четвертой группы или AIIIBV смеси H01L 21/06,H01L 21/16 или H01L 21/34) [2,6]

нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2]

физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2]

разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2]

жидкостным напылением [2]

диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси

диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2]

диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2]

диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии [2]

сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2]

воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение H01L 21/324) [2]

для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6]

с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество) [2,6]

с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30) [2]

с использованием масок [5]

с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2]

изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268 [2]

осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2]

из газа или пара, например способом конденсации [2]

из жидкости, например способом электролитического осаждения [2]

обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20- H01L 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах H01L 21/28) [2]

для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка H01L 21/304) [6]

для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка [2]

механическая обработка, например шлифование, полирование, резка [2]

обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105) [2]

электролитическое травление [6]

плазменное травление; ионное травление [6]

с использованием масок (H01L 21/3063,H01L 21/3065 имеют преимущество) [2,6]

с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев [2,5]

последующая обработка [5]

травление [5]

легирование [5]

из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/3105,H01L 21/32 имеют преимущество) [2,5]

из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество) [2,5]

из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов [2]

из нитридов [2]

с использованием масок [2,5]

осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои (устройства для проведения электрического тока внутри прибора H01L 23/52); последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L 21/28) [5]

последующая обработка [5]

физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности [6]

легирование [5]

для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки [2]

термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302- H01L 21/322 имеют преимущество) [2]

применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302-H01L 21/324 имеют преимущество) [2]

многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров [5]

приборов, имеющих один или два электрода, например диодов [5]

приборов, имеющих три или более электродов [5]

транзисторов [5]

тиристоров [5]

многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов [5]

полевых транзисторов [5]

с изолированным затвором [5]

с управляющим p-n-переходом [5]

с затвором в виде барьера Шотки [5]

приборов с переносом зарядов [5,6]

изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18[2]

нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2]

с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления [2]

с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение [2]

с использованием жидкостного осаждения [2]

диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями [2]

диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия [2]

диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою [2]

диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии [2]

сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой [2]

воздействие излучением [2]

высокой энергией [2]

с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30) [2]

с использованием масок [5]

с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение [2]

изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в H01L 21/36-H01L 21/428 [2]

осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов [2]

из газа или пара, например конденсацией [2]

из жидкости, например электролитическим осаждением [2]

с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия (H01L 21/607 имеет преимущество) [2]

с использованием механических колебаний, например ультразвуковых [2]

обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L 21/36-H01L 21/428 (изготовление электродов на них H01L 21/44) [2]

для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой [2]

обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком [2]

обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя H01L 21/469) [2]

с использованием масок [2]

для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (слоев, образующих электроды H01L 21/44, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев [2,5]

из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/475,H01L 21/4757 имеют преимущество) [2,5]

из неорганических веществ (H01L 21/475, H01L 21/4757 имеют преимущество) [2,5]

состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла [2]

с использованием масок [2,5]

последующая обработка [5]

осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L 21/28) [5]

термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461-H01L 21/475 имеют преимущество) [2]

обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/36-H01L 21/449 и H01L 21/461- H01L 21/477 имеют преимущество) [2]

изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06-H01L 21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые H01L 23/00) [2]

сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06- H01L 21/326 [2]

монтаж полупроводниковой подложки в корпусе [2]

заполнение корпуса, например газом [2]

герметизация, например пленками или покрытиями [2]

крепление полупроводникового прибора на опоре [2]

присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора [2]

с использованием давления, например соединение тепловым сжатием (H01L 21/607 имеет преимущество) [2]

с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний [2]

приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера [2]

изготовление или обработка неполупроводниковых приборов на твердом теле, кроме приборов, предусмотренных в группах H01L 31/00-H01L 49/00 [2]

испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26) [2]

аппаратура для крепления или установки компонентов во время изготовления, например зажимные приспособления, шаблоны, калибры [2]

изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H05K 3/00,H05K 13/00) [2]

изготовление особых частей устройств, относящихся к группам H01L 21/70 (H01L 21/28,H01L 21/44, H01L 21/48 имеют преимущество) [6]

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 21/784,H01L 21/822,H01L 21/8258)

получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений [2]

получение изоляционных областей между компонентами [2]

p-n переходов [6]

диэлектрических областей [6]

поликристаллических полупроводниковых областей [6]

воздушных зазоров [6]

с помощью полевого эффекта [6]

с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора [6]

изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее [6]

с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304) [2,6]

для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента (H01L 21/82 имеет преимущество) [6]

на подложке из полупроводникового материала [6]

на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих [6]

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 21/78)

для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов [2]

полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6]

технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах [6]

содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов [6]

содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику [6]

комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы [6]

структуры памяти [6]

технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах [6]

технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах [6]

комбинация обеднения или обогащения транзисторов [6]

на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры [6]

структуры памяти [6]

динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ) [6]

статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ) [6]

структуры памяти только считывающие (ПЗУ) [6]

электрически программируемые (СПЗУ) [6]

комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах [6]

технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах [6]

на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6]

на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6]

на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам H01L 21/822,H01L 21/8252 или H01L 21/8254 (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6]

на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L 21/822,H01L 21/8252, H01L 21/8254 или H01L 21/8256 [6]

на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика [2,6]

с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире [2,6]

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 21/768)

сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем (H01L 21/50 имеет преимущество; блоки приборов H01L 25/00) [2,5]